Çoklu desenleme ile 2 nm hedefi

Aslen 2022’de sunulan ancak kısa süre önce kamuya açıklanan ve deneyimli yarı iletken araştırmacısı Dr. Frederick Chen tarafından fark edilen patent, Huawei ile üretim ortağı SMIC’in 21 nm’lik metal aralığına ulaşmasını sağlayabilecek gelişmiş bir çoklu desenleme tekniğini tarif ediyor. Bu kritik boyut, TSMC ve Samsung’un EUV ekipmanlarıyla ulaştığı 2 nm sınıfı üretim teknolojileriyle aynı seviyeye işaret ediyor.

Huawei’nin yaklaşımının merkezinde, geleneksel çoklu desenleme yöntemlerine kıyasla gereken DUV pozlama sayısını yalnızca dörde indiren optimize edilmiş bir "Kendinden Hizalamalı Dört Katmanlı Desenleme" (SAQP) süreci bulunuyor. Sektörde benzer yöntemler genellikle çok daha fazla pozlama gerektirdiği için süreç hem daha karmaşık hem de daha maliyetli hale geliyor.

Şirket, mevcut DUV altyapısını sınırlarının en uç noktasına kadar zorlayarak, yeni tanıtılan Kirin 9030’da kullanılan SMIC’in N+3 sürecinden doğrudan 2 nm nesline sıçramayı ve bunu yasaklı EUV araçlarına ihtiyaç duymadan yapmayı hedefliyor.

Ayrıca Bkz.Intel Wildcat Lake Refresh sızdırıldı: Chiplet tasarımı ve dahası

Ancak sektör uzmanları bu gelişmeye temkinli yaklaşıyor. Laboratuvar ortamında teknik olarak mümkün olsa bile, bu kadar agresif bir DUV tabanlı üretim sürecinin ticari olarak uygulanabilir olup olmayacağı ciddi bir soru işareti. Bu boyutlarda dörtlü desenleme, verimi düşürmesi, hataya çok açık olması ve maliyetinin aşırı yüksek olmasıyla biliniyor. Bu nedenle önde gelen üreticiler 3 nm ve altındaki süreçlerde tek pozlama EUV’ye çoktan geçmiş durumda.

Huawei’nin SAQP temelli 2 nm süreci yüksek hacimli üretime ulaşabilirse, bu durum yaptırımlara karşı dikkat çekici bir teknolojik meydan okuma anlamına gelecek. Şimdilik patent, hem şirketin bu alandaki iddiasını hem de Çin’in kendi kendine yeterlilik hedefi doğrultusunda yıllardır kullanılan litografi teknolojilerini ne derece zorlamaya hazır olduğunu gösteriyor.