Teknoloji Haberleri
Aşağı Git
Tüm Forumlar
Donanım / Hardware
Anasayfa Haberleri
SK hynix, akıllı telefonlar için 321 katmanlı UFS 4.1 depolamasını duyurdu
Bu konudaki kullanıcılar: 1 misafir, 1 mobil kullanıcı
3
Cevap 440
Tıklama 7
Öne Çıkarma
Cevap 440
Tıklama 7
Öne Çıkarma
1. sayfa
-
SK hynix, akıllı telefonlar için 321 katmanlı UFS 4.1 depolamasını duyurdu
1. sayfa
DH Mobil uygulaması ile devam edin.
Mobil tarayıcınız ile mümkün olanların yanı sıra, birçok yeni ve faydalı özelliğe erişin.
Gizle ve güncelleme çıkana kadar tekrar gösterme.
PCIe NVMe SSD seviyesinde performans
238 katmana sahip önceki nesille karşılaştırıldığında, bu yeni depolama yongaları %15 daha yüksek rastgele okuma ve %40 daha yüksek rastgele yazma hızlarına sahip. Sıralı okumalar performansı ise 4,3 GB/sn'e kadar çıkabiliyor. Öyle ki, bu performans PCIe NVMe Gen 3 SSD'leri dahi aşabiliyor.
Güney Koreli üretici, performansı arttırken NAND paketini de incelterek 1 mm'den 0,85 mm kalınlığa düşürmeyi başarmış. Ayrıca önceki nesle göre güç tüketimini %7 azaltmış.
Ayrıca Bkz.Xiaomi, kendi geliştirdiği Xring O1 işlemcili Xiaomi 15S Pro'yu tanıttı
SK Hynix, sıralı okuma hızının cihaz içi yapay zeka performansını artıracağını ve iyileştirilmiş rastgele performansın çoklu görevlerde avantaj sağlayacağını belirtiyor.
Şirket, depolama birimini 512 GB ve 1 TB olmak üzere iki kapasitede üretecek. Dolayısıyla yeni çip üst seviye telefonlarda kendine yer bulacak. SK Hynix, bu yıl akıllı telefon üreticilerinden sipariş almayı ve gelecek yılın başında sevkiyatlara başlamayı planlıyor.
Kaynak:https://news.skhynix.com/sk-hynix-develops-ufs-solution-based-on-321-high-nand/
DH forumlarında vakit geçirmekten keyif alıyor gibisin ancak giriş yapmadığını görüyoruz.
Üye Ol Şimdi DeğilÜye olduğunda özel mesaj gönderebilir, beğendiğin konuları favorilerine ekleyip takibe alabilir ve daha önce gezdiğin konulara hızlıca erişebilirsin.
Haberi Portalda Gör