Teknoloji Haberleri
Aşağı Git
Tüm Forumlar
Donanım / Hardware
Elektronik ve Mekanik
Elektronik
mikrokontroler, sram, flash ram
Bu konudaki kullanıcılar: 1 misafir, 1 mobil kullanıcı
5
Cevap 1006
Tıklama 0
Öne Çıkarma
Cevap 1006
Tıklama 0
Öne Çıkarma
1. sayfa
-
mikrokontroler, sram, flash ram
|
Flash bellek derken EEPROM demek istedin herhalde FLash bellek code memory için kullanılır EEPROM ise dataları saklamak için dediğin gibi 100.000 kere yazmadan sonra EEPROM 'daki o hücre bozulur RAM 'de ise böyle bir sorun yok yeterki beslemesi kesilmesin |
Bu mesaja 1 cevap geldi.
| flash bellek derken eeprom demek istemedim, zaten ikisi farklı şeyler ama anladığım kadarıyla flashbellekler eepromların yerini almaya başladılar. aynı zaman de eepromu da bu iki belleğe göre kıyaslarsak iyi olur, şimdi benim merak ettiğim şey flash bellekte datalar saklanabilir mi? saklayabilirsek kaç kere değiştirme hakkımız var? 100000 kez mi yoksa o 100K farklı manaya geliyorda sadece toptan silme ve yukleme sayısı için söylenen bir şey mi? |
Bu mesaja 1 cevap geldi.
|
flash bellek eeprom bellek kalıcı hafızalardır,besleme gittikten sonra içeriğini kaybetmez ve belirli bir yazma ömürleri vardır. aynı gözele mesela 100 bin defa yazarsan o göz bozulur. Ayrıca yazma süreleride uzundur. Sramler ise beslemenin gitmesiyle içeriğini kaybeder fakat istediğin kadar yazabilirsin. Yanlız verilen bu değerler işlemciden işlemciye değişmektedir. Kimisinde 100 defa kimisinde 100 bin defadır. Ayrıca son zamanda çıkan kalıcı fram hafızalar var. bunlara hem hızlı hemde çok defa yazılabilmektedir. Sorduğun sorular geniş içerikli konulardır öncelikle piyasada satılan microcontroller kitaplarından alıp okumanı öneririm. |
Bu mesaja 1 cevap geldi.
Senin kafan gerçekten de çok karışmış.  Şu an bilmeden muhattap olduğun harvard mimarisini bir benzetmeyle özetleyeyim. Elinde bir algoritma kitabı var diyelim, o kitaptan egzersiz bölümünden bir problem seçiyorsun ve o kitapta yazan algoritmadan faydalanarak bir defter üstünde çözmeye uğraşıyorsun diyelim. Burda diyebiliriz ki, kitap ROM oluyor, defter RAM, sen de bil bakalım, işlemci oluyorsun  Yani ROM zaten tekrar yazılabilir özellik taşısa bile zırt pırt değiştirmek ihtiyacı duyacağın bir şey değil, amacı belli. Flash bellek dediğin standart EEPROM'un tek darbe ile silinebilen geliştirilmiş hali o kadar. Yani flash bellek bir EEPROM'dur ama her EEPROM flash özelliği taşımayabilir. İşte bu yüzden program belleği flash özelliği taşırsa bu sana zaman kazandırır. "data" eeprom'un ise böyle bir özelliğe ihtiyacı yok zaten çok az bir miktar, onda da kalitesini arttırma gibi bir geliştirmeye gitmişler. Şunu vurgulayayım, "data" eeprom'u mikrokontrolör dışında yan bir eleman olarak görmen gerekir. Ayrıca her ne olursa olsun işlemci ile direkt etkileşimli RAM varken gidip de bu bölgeye milyonlarca kez bişeyler yazıp silmenin hiçbir anlamı yok. RAM az geliyorsa başka bir mikrokontrolör seçersin. Aslında bunlarla kafayı karıştırmaya bile hiç gerek yok. Tahminimce kılavuzdaki data memory ile data eeprom tanımları yüzünden böyle kafan karışmış. Data memory denilen RAM'dır, program memory denilen ROM'dur, gerisi hikaye. |
< Bu mesaj bu kişi tarafından değiştirildi Liu Kang -- 13 Ocak 2007; 20:12:14 >
Bu mesaja 1 cevap geldi.
1. sayfa
DH Mobil uygulaması ile devam edin.
Mobil tarayıcınız ile mümkün olanların yanı sıra, birçok yeni ve faydalı özelliğe erişin.
Gizle ve güncelleme çıkana kadar tekrar gösterme.
mikrodenetleyicileri incelediğimde genlede proğramın saklanması icin flash bellek kullanılıyor ve datalar ise daha çok sram e kaydediliyor, ayrıca eger program kucukse flash bellek dataların saklanması içinde kullanılabiliyor(şu ana kadar anladıklarım bunlar, dogru anladıysam) benim merak ettiğim bu belleklerin arasındaki farkın tam olarak ne oldugu, mesela flash bellek icin minumum erase cycle genelde 10K-100k arası oluyor ve minumum data saklamasının(retention diyor) 12-15 years oldugu yazıyor. atıyorum ben her saniye de bir artan bir sayac degiskenini flash belleke kaydetmiş olayım, 100K(100000 oluyor sanırım) saniye sonra belleğin o kısmı veya belleğin kendisi kullanılmaz hale mi gelir? yani degişkende ki bir değisiklik erase cycle sayısını artırır mı? ayrıca sramler icin durum nedir? powered sram, batery-backed static ram (boyle olunca non-volatile oluyormus) bu kavramlari anlayamadim.
DH forumlarında vakit geçirmekten keyif alıyor gibisin ancak giriş yapmadığını görüyoruz.
Üye Ol Şimdi DeğilÜye olduğunda özel mesaj gönderebilir, beğendiğin konuları favorilerine ekleyip takibe alabilir ve daha önce gezdiğin konulara hızlıca erişebilirsin.
< Bu mesaj bu kişi tarafından değiştirildi lemon__ -- 12 Ocak 2007; 12:34:39 >