Teknoloji Haberleri
Aşağı Git
Tüm Forumlar
Donanım / Hardware
Anasayfa Haberleri
SK hynix, telefonlarda bellek kaynaklı ısı sorunlarını 3,5 kat azaltıyor
Bu konudaki kullanıcılar: 1 misafir, 1 mobil kullanıcı
0
Cevap 194
Tıklama 0
Öne Çıkarma
Cevap 194
Tıklama 0
Öne Çıkarma
1. sayfa
-
SK hynix, telefonlarda bellek kaynaklı ısı sorunlarını 3,5 kat azaltıyor
1. sayfa
DH Mobil uygulaması ile devam edin.
Mobil tarayıcınız ile mümkün olanların yanı sıra, birçok yeni ve faydalı özelliğe erişin.
Gizle ve güncelleme çıkana kadar tekrar gösterme.
Telefonlardaki ısınmaya yeni çözüm
Şirket, yeni bellek çiplerinin termal iletkenliğinin yüzde 350 oranında iyileştiğini belirtiyor. SK hynix’in yeni mobil DRAM’inde kullanılan malzeme, “High-K Epoxy Molding Compound” olarak adlandırılıyor. Bu malzeme, özellikle ısı kaynağının dikey yönündeki dirençte yüzde 47’lik bir iyileşme sağlıyor.
Ayrıca Bkz.SK hynix, 321 katmanlı QLC NAND seri üretimine başladı
Bazı akıllı telefonlarda mobil DRAM, doğrudan yonga seti kalıbının üzerine yerleştiriliyor. Yoğun iş yüklerinde açığa çıkan fazla ısı, performansın düşmesine neden olabiliyor. Üreticilerin bu tasarımı tercih etmesinin nedeni ise hem alan tasarrufu sağlamak hem de DRAM ile işlemci arasındaki veri aktarımını hızlandırmak.
Yeni malzeme sayesinde SK hynix’e göre, bu DRAM çipleriyle donatılmış akıllı telefonlar hem daha uzun pil ömrü sunacak hem de performans kayıplarını minimize edecek.
Kaynak:https://wccftech.com/sk-hynix-develops-mobile-dram-with-better-thermal-conductivity-for-on-device-ai/
DH forumlarında vakit geçirmekten keyif alıyor gibisin ancak giriş yapmadığını görüyoruz.
Üye Ol Şimdi DeğilÜye olduğunda özel mesaj gönderebilir, beğendiğin konuları favorilerine ekleyip takibe alabilir ve daha önce gezdiğin konulara hızlıca erişebilirsin.
Haberi Portalda Gör