Ana odak HBM4

Yeni nesil DRAM’in önemi özellikle yüksek bant genişliğine sahip bellek (HBM) alanında kendini gösteriyor. Şirket, bu yılın ikinci yarısında HBM4’ün seri üretimine başlamayı planlıyor ve bu süreçte yeni 6. nesil DRAM teknolojisini kullanacak. Mayıs ayında duyurulan hibrit bağlama teknolojisinin de bu belleklerde kullanılacağı ifade edildi. Bu yöntem, ısı direncini azaltırken ultra geniş bellek arayüzleri sunmayı hedefliyor. Böylece yapay zeka ve yüksek performanslı bilgi işlem uygulamalarının artan bant genişliği ve verimlilik ihtiyaçlarına çözüm getirilmesi amaçlanıyor.

Ayrıca Bkz.Samsung pes etti: 1.4nm yarışında TSMC artık tek başına

Öte yandan, HBM pazarının mevcut lideri SK hynix, HBM4 geliştirmelerini beşinci nesil DRAM teknolojisiyle sürdürüyor ve mart ayından bu yana büyük müşterilere HBM4 örnekleri sunuyor. Her iki şirket de seri üretim için benzer zaman dilimlerini hedeflerken, Samsung’un önünde önemli bir engel bulunuyor: Nvidia’nın HBM4 için yaptığı nitelendirme testleri. Şirketin bu süreci başarıyla tamamlaması, büyük hacimli tedarik anlaşmaları açısından kritik öneme sahip.  Kaldı ki Samsung, şu anda AMD’ye tedarik sağladığı 12 katmanlı HBM3E bellek ürünleri için de Nvidia’dan kalifikasyon onayı bekliyor.