4F2VG teknolojisi ile zirve hedefi

Cha, konuşmasında günümüz DRAM üretim teknolojilerinin fiziksel sınırlara dayandığını vurgularken, bu engelleri aşmak için 10nm altı üretim süreçlerine yönelik mimari, malzeme ve bileşenlerde radikal yeniliklere gidileceğini belirtti. Şirketin bu noktadaki çözümü ise 4F2VG (Vertical Gate, Dikey Kapı) teknolojisi.

4F2, bir bellek hücresinin kapladığı alanı ifade ediyor. Bugünün yaygın mimarisi olan 6F2 yapısına kıyasla daha yoğun entegrasyon sağlayan 4F2 hücre tasarımı, daha fazla hücrenin aynı alana yerleştirilmesine olanak tanıyor. Bu tasarım, dikey olarak konumlandırılmış geçit yapısıyla (Vertical Gate), hücrenin devre kısmını altta konumlandırarak hem alan verimliliğini hem de elektriksel performansı artırıyor.

Ayrıca Bkz.DDR5'e geçiş DDR4 bellekleri vurdu: Fiyatlar tırmanıyor

SK hynix’in uzun vadeli stratejisinde 3D DRAM teknolojisi ise “ana yapı taşı” olarak tanımlanıyor. Katmanlı yapısıyla hücreleri dikey yönde istifleyen bu teknoloji, mevcut yatay düzlemde sınıra ulaşan DRAM gelişimini yeniden ivmelendirecek. Cha, katman sayısı arttıkça üretim maliyetlerinin de yükseldiği yönündeki sektör endişelerine karşın, bu durumun sürekli yenilikle aşılabileceğini ifade etti.