1.000 katman ve 1 TB SSD'ler yolda

Samsung, halihazırda 9. Nesil V-NAND üretimine başlamış ve bu belleklerinde 290 katmana ulaşmıştı. Firma bir önceki nesilde 236 katmanlı çözümler üretirken ilginç bir şekilde gelecek yıl 430 katmanlı (10. Nesil V-NAND) istiflemeye dayanan bir NAND belleğinin üretimini gerçekleştirecek. Ancak Samsung’un 1 petabayt hedeflerine ulaşması için tek başına katman sayısını artırması yetmeyecek. Firma, TCL NAND üretimini şimdilik merkeze alsa de ilerleyen dönemlerde dört seviyeli hücre yani Quad-level cell (QLC) yongalarını ana akıma getirmeyi istiyor.

Ayrıca Bkz.SK Hynix, veri merkezleri için 300 TB kapasiteli SSD geliştiriyor

Hücre başına daha fazla bit depolamak için voltaj seviyelerinin de yükseleceğini hesaba katmak gerekiyor. Dolayısıyla yüksek voltaj durumunu depolayabilecek doğru malzemeleri belirlemek, bunların hacimli üretimi yapmak ve sıcaklığı kontrol altına almak kritik önem taşıyor. Ancak Samsung, resmi olarak doğrulamasa da aktif bir şekilde bu sorunları çözecek bir araştırmada yakından rol alıyor.

VLSI Teknoloji Sempozyumu'nda Kore İleri Bilim ve Teknoloji Enstitüsü'nden (KAIST) araştırmacılar, belirli koşullar altında ferroelektrik özellik gösteren bir malzeme sınıfı olan Hafnia üzerinde çalışıyor. Bu ferroelektrik malzeme ile düşük voltaj seviyelerinde kalınabileceği belirtiliyor. Ferroelektrik malzemelerin daha verimli kapasitörlerin ve belleklerin geliştirilmesinde rol alabileceği düşünülüyor. Zaten ilgili araştırmada da hafnianın 3D V-NAND belleklerde kullanılabileceğinden bahsediliyor.