High-NA EUV ana akım haline geliyor

SK Hynix, M16 üretim tesisinde ASML’in High-NA TWINSCAN EXE:5200B sistemini entegre ederek DRAM üretiminde yeni bir standarda geçmiş olacak. Şirketin blog paylaşımına göre, bu sistem mevcut EUV teknolojisine kıyasla transistörleri 1,7 kat daha küçük basabiliyor ve transistör yoğunluğunu 2,9 kat artırabiliyor. Ayrıca sistemin NA değeri yüzde 40 artışla 0,33’ten 0,55’e yükselmiş durumda.

Yeni sistemin benimsenmesiyle SK Hynix, mevcut EUV üretim süreçlerini sadeleştirmeyi ve gelecek nesil bellek geliştirme sürecini hızlandırmayı hedefliyor. Bu sayede ürün performansı ve maliyet verimliliği artırılırken şirket yüksek katma değerli bellek pazarındaki konumunu güçlendirmeyi planlıyor.

Ayrıca Bkz.Intel, Ar-Ge’de zirvede ama çip rekabetinde geri kalıyor

Daha önceki raporlarda, SK Hynix’in DRAM segmentinde High-NA EUV tasarımlarına doğru ilerlediği ve altı EUV katmanı ile üretim yapmayı hedeflediği belirtilmişti. SK Hynix’in bu atılımı, Nvidia ve AMD gibi müşteriler için tercih edilen DRAM üreticisi konumunu pekiştirirken Samsung’un sektör liderliğini kısa sürede geride bırakmasını sağladı.