San Jose merkezli NEO Semiconductor, DRAM alanındaki mevcut sınırları zorlayacak yeni nesil bellek hücrelerini tanıttı. Şirketin duyurduğu yeni 3D X-DRAM hücre tasarımları olan 1T1C (bir transistör, bir kapasitör) ve 3T0C (üç transistör, sıfır kapasitör), geleneksel DRAM modüllerine kıyasla 10 kat daha yüksek kapasite sunmayı vadediyor. Firma bu bellekleri yaklaşık iki yıl önce duyurmuştu.
Yüksek kapasite, yüksek hız ve yüksek verim
NEO Semiconductor’ın simülasyon verilerine göre yeni nesil hücreler, tek bir modülde512 Gb yani 64 GB kapasiteye ulaşabiliyor. Bu, piyasada yaygın olarak kullanılan DRAM çözümlerinin çok üzerinde bir değer. Ayrıca, 10 nanosaniye okuma/yazma hızı ve 9 dakikayı aşan veri tutma süresiyle performans konusunda da oldukça iddialı.
Yeni tasarımlar, ekran teknolojilerinde sıkça karşılaşılan bir kristal yapı olan indiyum galyum çinko oksit (IGZO) tabanlı. Bu malzeme sayesinde hücreler, 3D NAND flash belleklerdeki gibi üst üste yığılabilir bir mimaride üretilebiliyor. Bu yaklaşım hem kapasiteyi artırıyor hem de enerji verimliliğini koruyor. NEO, bu tasarımı mevcut 3D NAND üretim altyapısına adapte ederek, büyük sermaye yatırımı olmadan üretime geçilebileceğini belirtiyor.
Yeni 3D X-DRAM tasarımları, bu ay düzenlenecek olan IEEE IMWetkinliğinde daha kapsamlı şekilde tanıtılacak. Ancak sektörde yalnızca NEO yok. FeRAM tabanlı DRAM+ gibi alternatif teknolojiler de yarışa dahil olurken, SK hynix gibi köklü üreticiler klasik DRAM’in sınırlarını genişletmeye devam ediyor. Yine de 512 Gb'lik modüller, dikkatleri NEO Semiconductor’ın üzerine çekiyor.
Gözler şimdi NEO’nun 2026 yılında üretilecek olan test yongalarında. Şirketin yol haritasına göre 3D X-DRAM ile 2030 yılına kadar 1Tb (1 terabit) entegre devrelere ulaşılacak. 1Tb entegre devreler, tek bir RAM’de rahatlıkla 2 TB kapasiteleri mümkün kılıyor.
İşlemcilerin desteklemesi lazım, uyumluluk denen bir saçmalık var, expo/xmp olmazsa bir de manuel ayar tutturmaya çalışıyorsun, tutmazsa siyah ekranda kalıyor tekrar tekrar bios üzerinde uğraşıp duruyorsun, bazen bios'a girmeyecek duruma geliyor bios pilini çıkartmak zorunda kalıyorsun vs. Hele Intel'in işlemcileri 12. nesilde 4800mhz, 13 ve 14. nesilde 5600mhz destekliyordu. Son çıkan LGA1851 soket üzerinde max 6400mhz destek vermeye başlamışlar falan filan. Ayrıca geçen sene fuarda tanıtılan CAMM2 modül bellekler daha kullanıma sunulmadı. Kısacası gelişen her teknolojiyi şirketler öyle önümüze koymuyor, her şeyin suyunu çıkarta çıkarta bizim cüzdanlarımızı semire semire dönüyor bu devran.
Dipnot: Haberi de çok okumadım açıkcası, şimdi gelip birileri bu teknoloji bilgisayarlarda kullanılmayacak derse diye bilgilendirme geçeyim dedim.
Bu tip bellekler için lisanslama üretim kolaylığı olması lazım ki işlemci üreticileri bunları destekleyen kontrolcüyü tasarlayıp yeni nesil işlemcilerde kullanılsın.
Tahminen yazıyorum yukarıdaki bellekler hemen yarın hazır olsa dahi AMD ve intel gibi firmaların bunların tek başına geçtik demesi ile olmuyor, üreticilerde bunları hacimli üretecek hale gelmeden üretmezler, iyi güzel haber'de kim bilir hayatımıza ne zaman girecek.
haberde bahsedildiği gibi alternatif birkaç bellek teknolojisi var fakat ya tümüyle standardize edilmesine daha çok yada henüz geliştirme aşamasında, yıllar öncesinde çıkmış MRAM yaygınlaşmak bir yana girmesi beklenen alanlara dahi giremedi, geçtiğimiz yıl duyurulan camm2 bellekler keza hala daha üreticilerden pek birşey duymadık. PC tarafından işler JEDEC 'in eline bakıyor gibi, haber güzeldi okuduk bitirdik gitti. :)))
Yüksek kapasite, yüksek hız ve yüksek verim
NEO Semiconductor’ın simülasyon verilerine göre yeni nesil hücreler, tek bir modülde 512 Gb yani 64 GB kapasiteye ulaşabiliyor. Bu, piyasada yaygın olarak kullanılan DRAM çözümlerinin çok üzerinde bir değer. Ayrıca, 10 nanosaniye okuma/yazma hızı ve 9 dakikayı aşan veri tutma süresiyle performans konusunda da oldukça iddialı.
Ayrıca Bkz.Seagate, 2030’a kadar 100 terabaytlık hard disk geliştirecek
Yeni 3D X-DRAM tasarımları, bu ay düzenlenecek olan IEEE IMWetkinliğinde daha kapsamlı şekilde tanıtılacak. Ancak sektörde yalnızca NEO yok. FeRAM tabanlı DRAM+ gibi alternatif teknolojiler de yarışa dahil olurken, SK hynix gibi köklü üreticiler klasik DRAM’in sınırlarını genişletmeye devam ediyor. Yine de 512 Gb'lik modüller, dikkatleri NEO Semiconductor’ın üzerine çekiyor.
Gözler şimdi NEO’nun 2026 yılında üretilecek olan test yongalarında. Şirketin yol haritasına göre 3D X-DRAM ile 2030 yılına kadar 1Tb (1 terabit) entegre devrelere ulaşılacak. 1Tb entegre devreler, tek bir RAM’de rahatlıkla 2 TB kapasiteleri mümkün kılıyor.
Kaynak:https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/3d-x-dram-aims-for-10x-capacity-of-todays-memory-neo-semiconductors-memory-has-up-to-512-gb-per-module
Haberi Portalda Gör